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晶圓封裝與后膜光刻膠(下)
厚膜光刻膠和光刻聚合物目前已廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝技術(shù)中。焊接凸點需要很厚的光阻層和較高重復(fù)精度,但并不要求很陡的側(cè)壁傾角;金凸點和銅布線則要求中等厚度的光阻膜,而且對側(cè)壁的精度與傾角要求都很高。對于感光介電材料中的過孔而言,最好應(yīng)有傾斜的側(cè)壁傾角以便與介電層下的金屬焊盤保持良好接觸。
來源: | 作者:pmoe2a7d5 | 發(fā)布時間: 2024-01-23 | 15870 次瀏覽 | 分享到:

工藝中需要考慮的問題 

  如果要使用厚膜光刻膠,那么涂敷、烘干與曝光等許多工藝參數(shù)都與通常的1um厚光阻材料不同,需要重新設(shè)定。在涂敷過程中,厚的光刻膠會在晶圓邊緣形成鋸齒形。可以用很多方法減少這種情況的發(fā)生,如多次涂敷且中速固化或者用溶劑將凸起部分軟化,然后再慢慢將其去掉等。BCB是一個特例,因為它在涂敷到晶圓上面后會迅速固化。建議使用一種旋轉(zhuǎn)式密封罩如SUSS ACS 200涂敷系統(tǒng),這樣光阻材料就可以在固化前先散開。與敞開式滾涂方式相比這種方法只需要約一半的材料,可節(jié)省近50%,而且涂敷均勻性也有所增強(qiáng)。

  光阻層較厚時預(yù)烘會比較困難,而且溶劑揮發(fā)也比較慢。此時用干膜光阻材料如杜邦公司的MRC比較好一些,因為這種膜可以直接一層一層地貼于晶圓上。在特別厚的光阻層上不會使用BCB,所以溶劑很容易揮發(fā),因此預(yù)烘時只需離加熱板僅幾毫米即可獲得較高質(zhì)量的涂層分布。各種類型的厚膜Novolak光阻材料的固化既困難又耗時,通常美國使用AZ 4620,歐洲用AZ 4562,而日本則用TOK PMER P-LA900PMAZ LP。同樣,新的AZ 9260在涂敷后固化時所表現(xiàn)的性能與以前的產(chǎn)品都相同,在接觸到加熱板時其中的溶劑不會突然冒出來,而是在光阻層中產(chǎn)生氣縫與氣泡。換句話說,溶劑應(yīng)充分排出,因為殘留的溶劑會影響到側(cè)壁的垂直度而形成鼓肚形。厚度在30um以下的光阻層可在110溫度下通過幾個貼近式加熱板進(jìn)行預(yù)烘和固化,然后與加熱板直接接觸或離100um間隙保持57分鐘以進(jìn)行適度排氣。厚度超過30um的采用多次涂敷方式,每次涂敷均用約60的加熱板進(jìn)行固化。如果一次性涂敷30um以上,那么建議在60下固化1小時。

  光阻層越厚,所需曝光量也應(yīng)增加,但是不能無限地增加曝光強(qiáng)度,因為強(qiáng)度超過400mW/cm2后會對很厚的正性光阻層造成損壞,這也許是因為光阻材料過熱造成的。不過也只有多次涂敷才會遇到這類問題,因為整版作貼近掩膜對位曝光時其強(qiáng)度不會超過100mW/cm2Cyclotene是一種中等厚度的光敏負(fù)性聚合物,它能夠承受高強(qiáng)度曝光,但所需用量要隨曝光強(qiáng)度而增加,同樣強(qiáng)度在50100mW/cm2會比較理想。厚膜光刻膠的顯影時間比薄膜要長,而且正性光阻材料的顯影液濃度還要更高。一般的顯影時間為5分鐘,顯影液采用AZ 400 K和去離子水混合溶液,比例為1:3。攪拌顯影法應(yīng)該適用于度為20um的光阻層,而噴射顯影法和超聲顯影法還正在研究過程中,可能是將來的主要方法。

結(jié)論 

  厚膜光刻膠和光刻聚合物目前已廣泛應(yīng)用于封裝技術(shù)中。焊接凸點需要很厚的光阻層和較高重復(fù)精度,但并不要求很陡的側(cè)壁傾角;金凸點和銅布線則要求中等厚度的光阻膜,而且對側(cè)壁的精度與傾角要求都很高。對于感光介電材料中的過孔而言,傾斜的側(cè)壁傾角以便與介電層下的金屬焊盤保持良好接觸。

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